سامسونگ تقریباً حدود ۸ ماه پس از اعلام آغاز توسعه تراشه‌های حافظه GDDR۷ DRAM اعلام کرد که این فرایند را به پایان رسانده است. بر همین اساس، این غول فناوری کره‌ای اولین شرکتی است که این نسل از حافظه‌ها را با پهنای باند ۱.۵ ترابیتی در اختیار محصولات مختلفی ازجمله پردازشگر‌های گرافیکی قرار می‌دهد.
به گزارش دیجیاتو، سامسونگ امروز اعلام کرد که توسعه حافظه‌های GDDR۷ DRAM را که برای بازار خودروها، کنسول‌های گیمینگ، پی‌سی‌ها، سرور‌ها و ورک‌استیشن‌ها طراحی شده، تکمیل کرده است. پهنای باند این تراشه‌ها نسبت به نسل قبل ۴۰ درصد بیشتر شده و به ۱.۵ ترابیت بر ثانیه رسیده است.
حافظه GDDR۷ DRAM با استفاده از بهبود‌هایی که در روش ارسال سیگنال PAM۳ اعمال کرده، سرعت انتقال داده را به ازای هر پین به ۳۲ گیگابیت بر ثانیه رسانده است. PAM۳ حالا اجازه می‌دهد در هر چرخه ارسال سیگنال حدود ۵۰ درصد داده بیشتری فرستاده شود.
این تراشه‌های جدید حدود ۲۰ درصد بهینه‌تر از تراشه‌های GDDR۶ DRAM هستند. سامسونگ همچنین امکانی برای استفاده از ولتاژ پایین‌تر را در این تراشه‌ها ارائه می‌کند که می‌تواند به کار لپ‌تاپ‌ها و سایر دستگاه‌های این چنینی بیاید.
در تصویر بالا می‌توان دید که دای (die) حافظه GDDR۷ از فرم فکتور ۲۶۶ پین BGA استفاده می‌کند، در حالی که نسل قبلی از ۱۸۰ پین بهره می‌برد. بدین ترتیب، محصولات نسل بعدی باید تغییرات بزرگی را در زمینه PCB ایجاد کنند تا بتوانند از این افزایش ۵۰ درصدی پین‌ها پشتیبانی نمایند.
غول فناوری کره جنوبی برای کاهش تولید حرارت در بسته‌بندی این تراشه از ماده جدید EMC استفاده کرده و معماری IC خود را بهینه‌سازی نموده است. تمام این بهبود‌ها باعث شده تا تراشه حافظه جدید سامسونگ تا ۷۰ درصد مقاومت گرمایی کمتری داشته باشد، و به همین خاطر عملکرد بهتر و پایدارتری را در زمینه اجرای عملیات‌های پرفشار از خود نشان دهد.
مهم‌ترین مشتریان سامسونگ در دنباله سال ۲۰۲۳ آزمایش تراشه‌های حافظه GDDR۷ DRAM را آغاز می‌کنند. پیش‌بینی می‌شود که از این تراشه‌ها در پردازشگر‌های گرافیکی سری RTX ۵۰ انویدیا استفاده شود.
